FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Код товара: 197937
Дата обновления: 03.08.2021 05:10
Цена от: 492,76 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-247
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    30 шт.
  • Вес брутто
    6.86 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
  • Импульсный ток коллектора макс.
  • Макс. рассеиваемая мощность
  • Переключаемая энергия

Описание FGH40T120SMD

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

Maximum Operating Temperature+175 °C
Length15.87mm
Transistor ConfigurationSingle
BrandON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Maximum Continuous Collector Current80 A
Package TypeTO-247
Maximum Power Dissipation555 W
Mounting TypeThrough Hole
Minimum Operating Temperature-55 °C
Width4.82mm
Height20.82mm
Pin Count3
Dimensions15.87 x 4.82 x 20.82mm
Maximum Gate Emitter Voltage±25V
Channel TypeN
Вес, г7.5