FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FGH40T120SMD
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
30 шт
Корпус:
TO-247
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
80 А
Импульсный ток коллектора макс.:
160 А
Макс. рассеиваемая мощность:
555 Вт
Переключаемая энергия:
2.7 мДж
Цена от:
286,88 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 22+ 60+ 90+ 180+339,99 ₽ 320,71 ₽ 305,72 ₽ 295,70 ₽ 286,88 ₽Срок:В наличииНаличие:613Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
4+ 14+ 28+ 200+397,56 ₽ 378,62 ₽ 372,31 ₽ 350,23 ₽Срок:7 днейНаличие:200Минимум:Мин: 4Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FGH40T120SMD
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 15.87mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 4.82mm |
| Height | 20.82mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 7.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FGH40T120SMD , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 237 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара