FGH40T120SMD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FGH40T120SMD
Документы:
Описание FGH40T120SMD
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Length | 15.87mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | ON Semiconductor |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Package Type | TO-247 |
| Maximum Power Dissipation | 555 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 4.82mm |
| Height | 20.82mm |
| Pin Count | 3 |
| Dimensions | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±25V |
| Channel Type | N |
| Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара