Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (31)

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 483 Вт Переключаемая энергия: 4.4 мДж

Наличие:

641 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 462,08₽

IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 225 А Макс. рассеиваемая мощность: 428 Вт Переключаемая энергия: 4.5 мДж

Наличие:

303 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 417,82₽

STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 220 А Макс. рассеиваемая мощность: 250 Вт Переключаемая энергия: 333 мкДж

Наличие:

159 шт

Под заказ:

30 шт

Цена от:

от 222,17₽

STGW40V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 283 Вт Переключаемая энергия: 456 мкДж

Наличие:

6 шт

Под заказ:

210 шт

Цена от:

от 512,32₽

STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 240 А Макс. рассеиваемая мощность: 375 Вт Переключаемая энергия: 750 мкДж

Наличие:

158 шт

Под заказ:

128 шт

Цена от:

от 434,61₽

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 870 мкДж

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 729,80₽

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 349 Вт Переключаемая энергия: 1.3 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 600 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N65UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 290 Вт Переключаемая энергия: 1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T100SMD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1000 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 333 Вт Переключаемая энергия: 2.35 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 555 Вт Переключаемая энергия: 2.7 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T65SPD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 267 Вт Переключаемая энергия: 1.16 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 120 А Макс. рассеиваемая мощность: 268 Вт Переключаемая энергия: 1.59 мДж

Сообщить о поступлении

IGW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж

Сообщить о поступлении

IGW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 520 мкДж

Сообщить о поступлении

IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Макс. напр. коллектор-эмиттер: 650 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 150 А Макс. рассеиваемая мощность: 305 Вт Переключаемая энергия: 490 мкДж

Сообщить о поступлении

Акция

IRGPS40B120UDP Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 595 Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Super-247 (TO-274AA) Макс. напр. коллектор-эмиттер: 1200 В Макс. ток коллектора: 80 А Импульсный ток коллектора макс.: 160 А Макс. рассеиваемая мощность: 595 Вт Переключаемая энергия: 1.4 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 8.38 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"