Одиночные IGBT транзисторы

₃₀

Макс. ток коллектора: 80 А

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (30)

-8% Акция

FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Наличие:

995 шт

Внешние склады:

2 725 шт

Цена от:

от 170,10₽

-8% Акция

FGH40N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

870 мкДж

Наличие:

790 шт

Внешние склады:

1 074 шт

Аналоги:

100 шт

Цена от:

от 143,94₽

-8% Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

887 шт

Внешние склады:

294 шт

Цена от:

от 160,02₽

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

483 Вт

Переключаемая энергия:

4.4 мДж

Наличие:

1 313 шт

Внешние склады:

10 264 шт

Цена от:

от 211,14₽

IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

225 А

Макс. рассеиваемая мощность:

428 Вт

Переключаемая энергия:

4.5 мДж

Наличие:

1 893 шт

Внешние склады:

98 шт

Цена от:

от 306,00₽

-8% Акция

STGP40V60F Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 283Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

283 Вт

Переключаемая энергия:

456 мкДж

Наличие:

50 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 360,48₽

STGW39NC60VD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 250 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

220 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

333 мкДж

Наличие:

170 шт

Внешние склады:

4 955 шт

Цена от:

от 140,88₽

STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

375 Вт

Переключаемая энергия:

750 мкДж

Наличие:

379 шт

Внешние склады:

1 100 шт

Цена от:

от 222,24₽

Акция

FGH40N60SMDF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 349 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

1.3 мДж

Наличие:

2 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 305,64₽

FGH40T120SMD Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 555 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

555 Вт

Переключаемая энергия:

2.7 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

868 шт

Цена от:

от 391,20₽

IGW50N65H5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

305 Вт

Переключаемая энергия:

520 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

240 шт

Цена от:

от 533,94₽

IKW50N65F5FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 305 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

150 А

Макс. рассеиваемая мощность:

305 Вт

Переключаемая энергия:

490 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

240 шт

Цена от:

от 299,34₽

NGTB40N120FL2WG Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 535 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

200 А

Макс. рассеиваемая мощность:

535 Вт

Переключаемая энергия:

3.4 мДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

7 200 шт

Цена от:

от 188,82₽

STGW40H65DFB Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 283 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

283 Вт

Переключаемая энергия:

498 мкДж

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

67 шт

Цена от:

от 233,22₽

FGH40N60SFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.13 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N60UFTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40N65UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T100SMD Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1000 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

333 Вт

Переключаемая энергия:

2.35 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T65SPD_F155 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 267 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

267 Вт

Переключаемая энергия:

1.16 мДж

Сообщить о поступлении

FGH40T65UPD Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 80 А, 268 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

650 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

268 Вт

Переключаемая энергия:

1.59 мДж

Сообщить о поступлении

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"