FQB19N20CTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A

Код товара: 198515

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FQB19N20CTM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

19A

Сопротивление открытого канала

170 мОм

Мощность макс.

3.13Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

53нКл

Входная емкость

1080пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

TO-263-2

Вес брутто

2.4 г.

Описание FQB19N20CTM

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FQB19N20CTM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 654
Почта России
от 1 раб. дня
от 366
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219
от 1 раб. дня
от 208
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.