GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Цена от:
104,65 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 50+ 100+ 200+ 400+148,39 ₽ 138,80 ₽ 131,35 ₽ 126,36 ₽ 121,97 ₽Срок:В наличииНаличие:4 099Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 50+ 100+ 200+ 400+148,39 ₽ 138,80 ₽ 131,35 ₽ 126,36 ₽ 121,97 ₽Срок:В наличииНаличие:261Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
7+ 47+ 94+ 187+ 4567+120,97 ₽ 115,21 ₽ 113,29 ₽ 106,57 ₽ 104,65 ₽Срок:5 днейНаличие:4 567Минимум:Мин: 7Количество в заказ
-
5+ 18+ 36+ 73+ 1000+311,79 ₽ 296,94 ₽ 291,99 ₽ 274,67 ₽ 269,72 ₽Срок:7 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
47+ 91+ 500+119,26 ₽ 117,27 ₽ 110,32 ₽Срок:7 днейНаличие:500Минимум:Мин: 47Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара