GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
GT50JR22
Производитель:
Описание Eng:
IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Тип упаковки:
Tube (туба)
В упаковке:
25 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W
Цена от:
108,30 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 50+ 100+ 200+ 400+160,65 ₽ 150,16 ₽ 142,01 ₽ 136,56 ₽ 131,76 ₽Срок:В наличииНаличие:2 745Минимум:2Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 50+ 100+ 200+ 400+160,65 ₽ 150,16 ₽ 142,01 ₽ 136,56 ₽ 131,76 ₽Срок:В наличииНаличие:162Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
8+ 51+ 102+ 203+ 3494+125,19 ₽ 119,23 ₽ 117,24 ₽ 110,29 ₽ 108,30 ₽Срок:5 днейНаличие:3 494Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Корпус | to-3p(n) |
| Вес, г | 6.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2334 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара