GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Код товара: 199545

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
GT50JR22
Производитель:
Описание Eng:
IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
TO-3P(N)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
50A
Макс. рассеиваемая мощность:
230W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

50A

Макс. рассеиваемая мощность

230W

Вес брутто

6.55 г.

Описание GT50JR22

IGBT Discretes, Toshiba

Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A50
Импульсный ток коллектора (Icm), А100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс330
Рабочая температура (Tj), °C-55…+175
Корпусto-3p(n)
Вес, г6.5

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.