GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Name: GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 199545
Availability: InStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Код товара: 199545

Дата обновления: 19.04.2024 08:10

Цена от: 113,87 руб.

Доставка GT50JR22 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

IGBT Discretes, Toshiba

Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	50
Импульсный ток коллектора (Icm), А	100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	330
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+175
Корпус	to-3p(n)
Вес, г	6.5

← GT50J325 HGTP10N120BN →