8 800 1000 321 - контакт центр

GT50JR22(STA1,E,S), Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230000 мВт

  • GT50JR22(STA1,E,S) -

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Toshiba Semiconductor

Описание

Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230000 мВт

Код товара: 199545
Дата обновления: 13.12.2018 21:00
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 75 шт: 191.730 руб.
100 шт.15 раб. дн.25 шт.75 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Нормоупаковка
25 шт.

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
100 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке