GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Код товара: 199545
Дата обновления: 03.08.2021 13:10
Цена от: 149,84 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO3P
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    25 шт.
  • Вес брутто
    6.44 г.
  • Макс. напр. коллектор-эмиттер
  • Макс. ток коллектора
    50A
  • Макс. рассеиваемая мощность

Описание GT50JR22

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

IGBT Discretes, Toshiba

Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A50
Импульсный ток коллектора (Icm), А100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс330
Рабочая температура (Tj), °C-55…+175
Корпусto-3p(n)
Вес, г6.5