HGT1S10N120BNST, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGT1S10N120BNST
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
TO-263AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Цена от:
124,46 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGT1S10N120BNST
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGT1S10N120BNST , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 143 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара