HGTD1N120BNS9A, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт

Код товара: 201333

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
HGTD1N120BNS9A
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

1200 В

Макс. ток коллектора

5.3 А

Импульсный ток коллектора макс.

6 А

Макс. рассеиваемая мощность

60 Вт

Переключаемая энергия

70 мкДж

Описание HGTD1N120BNS9A

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт

Документы и сертификаты

Документация

Способы доставки в Калининград

Доставка HGTD1N120BNS9A , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.