HGTD1N120BNS9A, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Код товара: 201333
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTD1N120BNS9A
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт.
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
Цена от:
70,55 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGTD1N120BNS9A
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Документы и сертификаты
Документация
HGTD1N120BNS.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка HGTD1N120BNS9A , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара