HGTD1N120BNS9A, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTD1N120BNS9A
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
2500 шт
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
80,43 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание HGTD1N120BNS9A
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTD1N120BNS9A , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2425 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара