HGTD1N120BNS9A, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 5.3 а, 60 вт
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTD1N120BNS9A
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара