HGT1S10N120BNST, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Name: HGT1S10N120BNST, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Brand: ON Semiconductor
SKU: 201331
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Код товара: 201331

Дата обновления: 18.02.2022 15:35

Доставка HGT1S10N120BNST , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FGH40N60SMDF HGTD1N120BNS9A →