8 800 1000 321 - контакт центр
  • HGT1S10N120BNST

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 201331
Дата обновления: 18.07.2018 00:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 15 шт: 282.699 руб.
от 2 шт: 294.989 руб.
17 шт.3 дн.1 шт.2 шт.
от 2 400 шт: 165.742 руб.
от 800 шт: 168.811 руб.
16 800 шт.10 дн.800 шт.800 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
D2PAK/TO263
Нормоупаковка
800 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
35 А
Импульсный ток коллектора макс.
80 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.7 В
Макс. рассеиваемая мощность
298 Вт
Переключаемая энергия
320 мкДж
Заряд затвора
100 нКл
Время задержки вкл./выкл.
23 нс/165 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
16817 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке