HGTD1N120BNS9A, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTD1N120BNS9A
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252AA
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
5.3 А
Импульсный ток коллектора макс.:
6 А
Макс. рассеиваемая мощность:
60 Вт
Переключаемая энергия:
70 мкДж
Цена от:
80,92 руб.
Внешние склады
-
90+ 130+ 260+ 1300+98,82 ₽ 85,22 ₽ 83,07 ₽ 80,92 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 90Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HGTD1N120BNS9A
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка HGTD1N120BNS9A , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5.3 А, 60 Вт
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 351 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара