IGB50N60TATMA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Код товара: 202742

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IGB50N60TATMA1
Производитель:
Описание Eng:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 333000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
600V
Макс. ток коллектора:
90A
Макс. рассеиваемая мощность:
333W

Технические параметры

Макс. напр. коллектор-эмиттер

600V

Макс. ток коллектора

90A

Макс. рассеиваемая мощность

333W

Корпус

D2Pak (TO-263)

Вес брутто

1.35 г.

Описание IGB50N60TATMA1

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IGB50N60TATMA1 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 90 А, 333 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 138
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.