HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTP10N120BN
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Макс. напр. коллектор-эмиттер:
1200 В
Макс. ток коллектора:
35 А
Импульсный ток коллектора макс.:
80 А
Макс. рассеиваемая мощность:
298 Вт
Переключаемая энергия:
320 мкДж
Цена от:
533,77 руб.
Внешние склады
-
14+ 20+ 40+635,00 ₽ 547,58 ₽ 533,77 ₽Срок:25 днейНаличие:50Минимум:Мин: 14Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание HGTP10N120BN
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTP10N120BN , Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2175 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара