8 800 1000 321 - контакт центр
  • HGTP10N120BN

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 201335
Дата обновления: 20.07.2018 16:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 1 050 шт: 78.076 руб.
от 250 шт: 79.495 руб.
от 200 шт: 81.624 руб.
3 300 шт.10 дн.50 шт.200 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
TO-220
Нормоупаковка
800 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
35 А
Импульсный ток коллектора макс.
80 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.7 В
Макс. рассеиваемая мощность
298 Вт
Переключаемая энергия
320 мкДж
Заряд затвора
100 нКл
Время задержки вкл./выкл.
23 нс/165 нс

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
3300 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке