HGTP10N120BN, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
HGTP10N120BN
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара