IKW40N120T2FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 480 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW40N120T2FKSA1
Документы:
Описание IKW40N120T2FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trenchstop 2 |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 480 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 33 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 314 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | pg-to247-3 |
| Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара