SI3460DDV-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A

Код товара: 232249

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI3460DDV-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

7.9A

Сопротивление открытого канала

28 мОм

Мощность макс.

2.7Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

18нКл

Входная емкость

666пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

6-TSOP

Описание SI3460DDV-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI3460DDV-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.