SI4464DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Код товара: 232322

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI4464DY-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

200В

Ток стока макс.

1.7A

Сопротивление открытого канала

240 мОм

Мощность макс.

1.5Вт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

18нКл

Тип монтажа

Surface Mount

Описание SI4464DY-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

SI4464DY-T1-E3 Полный аналог Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A Производитель: Vishay

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI4464DY-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 211
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.