IRFD9120PBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
Цена от:
71,70 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 20+ 40+ 100+ 200+93,84 ₽ 86,28 ₽ 80,22 ₽ 75,36 ₽ 71,70 ₽Срок:В наличииНаличие:280Минимум:4Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFD9120PBF
The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 ом при-0.6a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Крутизна характеристики, S | 0.71 |
| Корпус | HVMDIP |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 |
| Вес, г | 0.6 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка IRFD9120PBF , Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара