Одиночные IGBT транзисторы

₁₀₂₇

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные IGBT транзисторы (1027)

GT50JR22 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт

Производитель:

Toshiba Semiconductor

Корпус:

TO-3P(N)

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600V

Макс. ток коллектора:

50A

Макс. рассеиваемая мощность:

230W

Наличие:

3 902 шт

Внешние склады:

6 489 шт

Цена от:

от 95,67₽

STGD18N40LZT4 Биполярный транзистор IGBT, 375 В, 30 А, 150 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

420 В

Макс. ток коллектора:

25 А

Импульсный ток коллектора макс.:

40 А

Макс. рассеиваемая мощность:

125 Вт

Наличие:

2 349 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 70,81₽

IKW25N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 326 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

326 Вт

Переключаемая энергия:

2.65 мДж

Наличие:

1 519 шт

Внешние склады:

1 040 шт

Цена от:

от 199,70₽

IKW40N120H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

160 А

Макс. рассеиваемая мощность:

483 Вт

Переключаемая энергия:

4.4 мДж

Наличие:

1 347 шт

Внешние склады:

920 шт

Цена от:

от 206,37₽

IKW75N60TFKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 428 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

225 А

Макс. рассеиваемая мощность:

428 Вт

Переключаемая энергия:

4.5 мДж

Наличие:

1 144 шт

Внешние склады:

500 шт

Цена от:

от 271,35₽

IHW30N160R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1600 В, 30 А, 310 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO247-3-46

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1600 В

Макс. ток коллектора:

30 А

Макс. рассеиваемая мощность:

310 Вт

Наличие:

1 096 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 263,71₽

IKW40N120CS6XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А 500 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Наличие:

1 051 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 268,31₽

IRGP4063DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 96 А, 330 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

96 А

Импульсный ток коллектора макс.:

144 А

Макс. рассеиваемая мощность:

330 Вт

Переключаемая энергия:

625 мкДж

Наличие:

897 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 462,37₽

STGP10NC60KD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 20 А, 65 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

20 А

Импульсный ток коллектора макс.:

30 А

Макс. рассеиваемая мощность:

65 Вт

Переключаемая энергия:

55 мкДж

Наличие:

884 шт

Внешние склады:

310 шт

Цена от:

от 95,03₽

IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650В 90А 395Вт [TO-247]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Наличие:

883 шт

Внешние склады:

165 шт

Цена от:

от 178,77₽

IHW20N135R5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1350 В, 40 А, 288 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1350V

Макс. ток коллектора:

40A

Импульсный ток коллектора макс.:

60A

Макс. рассеиваемая мощность:

288W

Переключаемая энергия:

950 µJ (off)

Наличие:

861 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 139,85₽

STGP19NC60HD Биполярный транзистор IGBT, 130 Вт, 21 А, 600 В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

40 А

Импульсный ток коллектора макс.:

60 А

Макс. рассеиваемая мощность:

130 Вт

Переключаемая энергия:

85 мкДж

Наличие:

840 шт

Внешние склады:

520 шт

Цена от:

от 168,76₽

IRGP4062DPBF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 48 А, 250 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

48 А

Импульсный ток коллектора макс.:

72 А

Макс. рассеиваемая мощность:

250 Вт

Переключаемая энергия:

115 мкДж

Наличие:

837 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 148,30₽

IKW25N120T2FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 50 А, 349 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

1200 В

Макс. ток коллектора:

50 А

Импульсный ток коллектора макс.:

100 А

Макс. рассеиваемая мощность:

349 Вт

Переключаемая энергия:

2.9 мДж

Наличие:

831 шт

Внешние склады:

200 шт

Цена от:

от 218,59₽

FGH60N60SMD Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 120 А, 600W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

120 А

Импульсный ток коллектора макс.:

180 А

Макс. рассеиваемая мощность:

600 Вт

Переключаемая энергия:

1.26 мДж

Наличие:

790 шт

Внешние склады:

850 шт

Цена от:

от 213,93₽

IKW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO-247-3

Наличие:

782 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 185,03₽

STGW60V60DF Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

240 А

Макс. рассеиваемая мощность:

375 Вт

Переключаемая энергия:

750 мкДж

Наличие:

777 шт

Внешние склады:

360 шт

Цена от:

от 259,82₽

STGD6NC60HDT4 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

15 А

Импульсный ток коллектора макс.:

21 А

Макс. рассеиваемая мощность:

56 Вт

Переключаемая энергия:

20 мкДж

Наличие:

675 шт

Внешние склады:

600 шт

Цена от:

от 46,28₽

IKQ75N120CH3XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором 1.2кВ, 150А, 938Вт, TO-247

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO247-3-46

Наличие:

668 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 458,11₽

Акция

FGH40N60UFDTU Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Макс. напр. коллектор-эмиттер:

600 В

Макс. ток коллектора:

80 А

Импульсный ток коллектора макс.:

120 А

Макс. рассеиваемая мощность:

290 Вт

Переключаемая энергия:

1.19 мДж

Наличие:

660 шт

Внешние склады:

1 856 шт

Цена от:

от 208,43₽

IGBT транзисторы (расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, или «биполярный транзистор с изолированным затвором», БТИЗ транзистор) сочетают в себе два транзистора в одной полупроводниковой структуре. Эту структуру можно представить как MOSFET, управляющий биполярным транзистором. Такая конструкция позволяет транзистору выдерживать повышенные мощности.

В интернет-магазине «Промэлектроника» мы предлагаем к покупке IGBT транзисторы по лучшим ценам. В нашем каталоге присутствуют IGBT производства таких известных фирм, как RENESAS, Infineon, ST Microelectronics, Toshiba. В наличии БТИЗ транзисторы с максимальной рассеиваемой мощностью до 750 Вт и максимальным напряжением до 2500 В.

Купить IGBT транзисторы лучше всего на сайте интернет-магазина «Промэлектроника». Кроме того, для оформления заказа Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные IGBT транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные IGBT транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные IGBT транзисторы - от 17.77 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные IGBT транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные IGBT транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"