IKW40N120H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 80 А, 483 Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IKW40N120H3FKSA1
Документы:
Описание IKW40N120H3FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 16.03мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 483 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 5.16мм |
| Высота | 21.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 16.03 x 5.16 x 21.1мм |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара