jfet

Фильтр
  • Спецпредложения
  • Новинки
jfet (102)
2SK208-GR(TE85L,F) MOSFET N-CH S-MINI FET
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
15 000 шт
Цена от:
от 6,97
2SK208-O(TE85L,F) MOSFET N-CH S-MINI FET
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
6 000 шт
Цена от:
от 21,60
J112-D27Z 35 V, 5 MA - N-CHANNEL JFET TRANSISTOR;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 29,92
MMBFJ177LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
800 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
13 064 шт

Под заказ:
216 705 шт
Цена от:
от 7,19
MMBFJ112 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
7 115 шт

Под заказ:
26 095 шт
Цена от:
от 9,39
MMBFJ201 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
300 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
6 085 шт

Под заказ:
33 485 шт
Цена от:
от 8,95
MMBF4393LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
4 683 шт

Под заказ:
48 525 шт
Цена от:
от 5,80
MMBFJ113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
3 367 шт

Под заказ:
18 000 шт
Цена от:
от 6,26
MMBF5457 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
25 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
350 мВт
Наличие:
3 319 шт

Под заказ:
9 000 шт
Цена от:
от 16,52
MMBF4391LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
4 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
3 000 шт

Под заказ:
32 430 шт
Цена от:
от 7,48
MMBFJ270 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 966 шт

Под заказ:
9 565 шт
Цена от:
от 11,05
MMBF4392LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
2 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 160 шт

Под заказ:
35 860 шт
Цена от:
от 7,78
MMBFJ176 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
2 061 шт

Под заказ:
9 000 шт
Цена от:
от 15,08
BF862,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В
Производитель:
NXP / Philips
Наличие:
2 037 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 258,97
MMBFJ175LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
3 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Наличие:
1 858 шт

Под заказ:
15 000 шт
Цена от:
от 8,29