Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

₁₂₂₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1228)

-6% Акция

MJD127T4G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP, составной

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

1000

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

4 МГц

Наличие:

2 115 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 085 шт

Цена от:

от 71,49₽

Акция

MJD253T4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.4 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

40 МГц

Наличие:

1 053 шт

Внешние склады:

10 000 шт

Цена от:

от 12,88₽

Акция

MJD2955G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 10 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

198 шт

Внешние склады:

1 950 шт

Аналоги:

5 000 шт

Цена от:

от 52,68₽

MJD3055T4G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 10 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

60 В

Ток коллектора Макс.:

10 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

2 МГц

Наличие:

1 063 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

2 500 шт

Цена от:

от 37,78₽

-6% Акция

MJD31CT4G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

696 шт

Внешние склады:

8 965 шт

Аналоги:

43 661 шт

Цена от:

от 17,71₽

Акция

MJD32CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3 А, 1.56Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

3 А

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

615 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

12 409 шт

Цена от:

от 36,94₽

MJD350T4G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Наличие:

13 855 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

12 190 шт

Цена от:

от 24,92₽

-6% Акция

MJD42CT4G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 6 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

6 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

3 МГц

Наличие:

1 472 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Аналоги:

1 200 шт

Цена от:

от 28,19₽

MJD44H11T4G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

85 МГц

Наличие:

3 059 шт

Внешние склады:

40 645 шт

Аналоги:

29 218 шт

Цена от:

от 16,80₽

Акция

MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

80 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Поверхностный

Граничная частота:

90 МГц

Наличие:

1 797 шт

Внешние склады:

2 100 шт

Аналоги:

54 898 шт

Цена от:

от 38,16₽

-6% Акция

MJE15030G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

150 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

50 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

61 шт

Внешние склады:

1 579 шт

Цена от:

от 68,25₽

Акция

MJE15032G Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

69 шт

Внешние склады:

2 160 шт

Цена от:

от 47,13₽

MJE15033G Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 8 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

250 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

312 шт

Внешние склады:

2 220 шт

Цена от:

от 50,49₽

MJE15034G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 4 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Наличие:

690 шт

Внешние склады:

2 180 шт

Цена от:

от 65,28₽

MJE15035G Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 4 А, 50 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

350 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

30 МГц

Наличие:

516 шт

Внешние склады:

2 380 шт

Цена от:

от 63,23₽

-6% Акция

MJE243G Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 4 А, 15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-126

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

40 МГц

Наличие:

305 шт

Внешние склады:

320 шт

Цена от:

от 56,12₽

MJE253G Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 15 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-126

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

100 В

Ток коллектора Макс.:

4 А

Мощность Макс.:

1.5 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Граничная частота:

40 МГц

Наличие:

826 шт

Внешние склады:

5 740 шт

Цена от:

от 20,41₽

Акция

MJE340G Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 20 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-32 (TO-126)

Тип транзистора:

NPN

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

20 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

96 шт

Внешние склады:

5 150 шт

Аналоги:

4 285 шт

Цена от:

от 26,16₽

MJE350G Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 20W

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-225AA

Тип транзистора:

PNP

Напряжение КЭ Макс.:

300 В

Ток коллектора Макс.:

500 мА

Мощность Макс.:

20 Вт

Коэффициент усиления hFE:

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

60 шт

Внешние склады:

3 620 шт

Аналоги:

5 924 шт

Цена от:

от 31,10₽

-6% Акция

MJE5742G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 400 В, 8 А, 2 Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Тип транзистора:

NPN, составной

Напряжение КЭ Макс.:

400 В

Ток коллектора Макс.:

8 А

Мощность Макс.:

2 Вт

Коэффициент усиления hFE:

200

Тип монтажа:

Сквозной

Наличие:

68 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 50,45₽