Одиночные MOSFET транзисторы

364
Корпус: TO247
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (364)
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 МОП-транзистор 20MW 1200V
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
103А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
1144пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG16N50C-E3 SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG22N50D-E3 SIHG22N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
1938пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
1707пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-E3 SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG35N60EF-GE3 SIHG35N60EF-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 73A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
362нКл
Входная емкость:
7700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
46А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STW10N95K5 STW10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW10NK80Z STW10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW11NK100Z STW11NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8,3А 230Вт, 1,38 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
1.38 Ом
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
162нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW11NM80 STW11NM80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
STW12NK80Z STW12NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5А 190Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
87нКл
Входная емкость:
2620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW12NK90Z STW12NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11А 230Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
880 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
152нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW12NK95Z STW12NK95Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
113нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"