Одиночные MOSFET транзисторы

366
Корпус: TO247
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (366)
JMSH1504AS JMSH1504AS Транзистор полевой MOSFET силовой 150В 203A 4мОм N-канальный
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-247
JMSH1504ASQ JMSH1504ASQ Транзистор полевой MOSFET силовой 150В 230A 4мОм N-канальный
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
TO-247-3
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 МОП-транзистор 20MW 1200V
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
103А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG14N50D-GE3 SIHG14N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
1144пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG16N50C-E3 SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG22N50D-E3 SIHG22N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
1938пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG22N60E-GE3 SIHG22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
122нКл
Входная емкость:
2740пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG25N40D-GE3 SIHG25N40D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 25A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
1707пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-E3 SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG35N60EF-GE3 SIHG35N60EF-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 32А 250Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
32А
Сопротивление открытого канала:
0.084Ом
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
64 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
9620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 73A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
73A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
362нКл
Входная емкость:
7700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
284Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
46А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
STW10N95K5 STW10N95K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 8A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW10NK80Z STW10NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
2180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW11NK100Z STW11NK100Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8,3А 230Вт, 1,38 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
1.38 Ом
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
162нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"