Одиночные MOSFET транзисторы

392
Корпус: SOIC8
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (392)
Акция
IRF8788PBF IRF8788PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
5720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 803 шт
Цена от:
от 50,94
IRF8910PBF IRF8910PBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 605 шт
Цена от:
от 48,63
IRF8915TRPBF IRF8915TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.9A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
18.3 мОм @ 8.9А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9310PBF IRF9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
4.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
165нКл
Входная емкость:
5250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 309 шт
Цена от:
от 9,99
Акция
IRF9310TR IRF9310TR Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 2.5Вт
Производитель:
UMW Youtai Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
26 309 шт
Цена от:
от 9,99
Акция
IRF9317PBF IRF9317PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.6 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 441 шт
Цена от:
от 44,41
IRF9321PBF IRF9321PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
2590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 582 шт
Цена от:
от 22,86
Акция
IRF9328PBF IRF9328PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
11.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 197 шт
Цена от:
от 87,38
IRF9332TRPBF IRF9332TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.8A 8SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм @ 9.8А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 25 µA
Заряд затвора:
41нКл @ 10В
Входная емкость:
1270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF9333PBF IRF9333PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
19.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
389 шт
Цена от:
от 7,28
Акция
IRF9388PBF IRF9388PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
30 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
27нКл @ 10В
Входная емкость:
550пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
JMSL1018AP-13 JMSL1018AP-13 Транзистор полевой MOSFET силовой 100В 8A 15.8мОм N-канальный
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
SOP8
JMTP130N04A JMTP130N04A Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 40В 10A 14.3Ом
Производитель:
Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус:
SOP8
MMSF3P02HDR2G MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NCE40P13S NCE40P13S Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 25A SO8
Производитель:
Wuxi NCE Power Co
Корпус:
SOIC8
NDS8425 NDS8425 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1098пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDS9407 NDS9407 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
732пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4C324NT1G SO-8 MOSFETs ROHS
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"