Одиночные MOSFET транзисторы

906
Корпус: DPAK/TO252
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (906)
FDB2614 FDB2614 MOSFET N-канал 200В/62А/0.022 Ом DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
FDD10AN06A0 FDD10AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A D-PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
FDD14AN06LA0_F085 FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.5A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD16AN08A0 FDD16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1874пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD18N20LZ FDD18N20LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD24AN06LA0_F085 FDD24AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2572 FDD2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2582 FDD2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2670 FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1228пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD306P FDD306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3670 FDD3670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3672 FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3682 FDD3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3706 FDD3706 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 14.7А 3.8Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
14.7A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
1882пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3860 FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD390N15A FDD390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26А 63Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.6нКл
Входная емкость:
1285пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3N40TM FDD3N40TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
3.4 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD3N50NZTM FDD3N50NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"