Одиночные MOSFET транзисторы

₉₀₇

Корпус: DPAK/TO252

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (907)

FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 34A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

34A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 44А 28 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3706 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 14.7А 3.8Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

14.7A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3860 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26А 63Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18.6нКл

Входная емкость:

1285пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3N40TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.4 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD3N50NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

280пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD4141 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2775пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD4141_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10.8A

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

2775пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD4243 Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 40В 6.7А 44 мОм, 42Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

852 шт

Цена от:

от 14,19₽

FDD4685 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27 мОм

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD4685_F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

27 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.5A(Ta),50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм @ 10.7А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

65нКл @ 10В

Входная емкость:

3215пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

2739пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

FDD5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"