Одиночные MOSFET транзисторы

₉₂

Корпус: SOT23-6

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (92)

SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 1.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

375 мОм

Мощность макс.:

1.14Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

375 мОм

Мощность макс.:

1.14Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3442BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

57 мОм

Мощность макс.:

860мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TSOP-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

9нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3443CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.97A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12.4нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97А 2Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TSOP-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.97A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12.4нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3456DDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3457CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

74 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3457CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

74 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3460DDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

7.9A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

666пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3473CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3473CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3483CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

34 мОм

Мощность макс.:

4.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SI3493BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

27.5 мОм

Мощность макс.:

2.97Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

43.5нКл

Входная емкость:

1805пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STT5N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

4.6нКл

Входная емкость:

367пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

YJS2305A Транзистор MOSFET Р-кан., Uс-и макс. -20 В, Iс ном. при 25°C -5.4 А, Rот.(мин) 27 мОм, Rот.при Uз(ном), min 27 мОм, Rот.при Uз(ном), max 48 мОм, диап. Uз мин. -1.8 В, диап. Uз макс. -4.5 В, Uз макс. 10 В, Qз 10.98 нКл, Р=1.2 Вт, Сз=1 010пФ

Производитель:

YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.

Корпус:

SOT23-6

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"