Одиночные MOSFET транзисторы

₂₄

Ток стока макс.: 2.6A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

IRLML2246TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6А 1.3Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

135 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

2.9нКл

Входная емкость:

220пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

18 570 шт

Внешние склады:

7 000 шт

Аналоги:

40 372 шт

Цена от:

от 6,57₽

Акция

AO3403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

5.3нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 273 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 145 шт

Цена от:

от 4,50₽

NTGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

630мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 035 шт

Внешние склады:

141 шт

Цена от:

от 12,32₽

SI2302CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

57 мОм

Мощность макс.:

710мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

5.5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 954 шт

Внешние склады:

400 шт

Аналоги:

3 306 шт

Цена от:

от 6,16₽

Акция

IRFL4315TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 106 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 31,32₽

SI2302CDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6А 0.71Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3L

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

57 мОм

Мощность макс.:

710мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

5.5нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

830 шт

Внешние склады:

2 476 шт

Аналоги:

2 354 шт

Цена от:

от 6,15₽

Акция

IPN60R3K4CEATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-SOT223-4

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

2.6A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

826 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 36,70₽

Акция

FDN306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

583 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 11,91₽

Акция

NVF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.6А 2.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14.3нКл

Входная емкость:

492пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

446 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 51,96₽

Акция

BSP318SH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.6A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.6A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Наличие:

190 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 65,71₽

IRFR210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

300 шт

Цена от:

от 81,84₽

FDC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TSOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG332PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

95 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10.8нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI720GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.8 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

410пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6А 2.8Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

185 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 106 шт

Цена от:

от 31,32₽

IRFR210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

300 шт

Цена от:

от 81,84₽

IRFU210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

140пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NCV8440ASTT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 59В 2.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

59В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

1.69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.9В

Заряд затвора:

4.5нКл

Входная емкость:

155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1480DH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-363 (SC-88)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2302DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.6A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"