Одиночные MOSFET транзисторы

27
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
FDS8880 FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
588 шт

Внешние склады:
2 520 шт
Цена от:
от 26,88
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 560 шт

Внешние склады:
4 650 шт
Цена от:
от 31,44
-8% Акция
IRFB4410PBF IRFB4410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 96А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
88A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
703 шт
Цена от:
от 90,18
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1543пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 361 шт

Внешние склады:
6 084 шт
Цена от:
от 22,98
IRL3705NPBF IRL3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77А 130Вт, 0.01 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 611 шт

Внешние склады:
190 шт
Цена от:
от 92,28
IRL3705NSTRLPBF IRL3705NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 89A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
89A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
993 шт

Внешние склады:
9 800 шт
Цена от:
от 97,32
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 11A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
690мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
50.6нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 15,60
FDMC6679AZ FDMC6679AZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
3970пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 36,06
HUF75545P3 HUF75545P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
235нКл
Входная емкость:
3750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 138,78
Акция
IRLI3705NPBF IRLI3705NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 52A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
58Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 282,84
SI7463ADP-T1-GE3 SI7463ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 46A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
144нКл
Входная емкость:
4150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 686 шт
Цена от:
от 50,88
STD80N10F7 STD80N10F7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 89,10
AO4425 AO4425 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
38В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9212-55B,118 BUK9212-55B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
3519пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16411Q3 CSD16411Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 56A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
3.8нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDD6635 FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
35В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP100N10 FDP100N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 0.01 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS6680AS FDS6680AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP85N06 FQP85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF85N06 FQPF85N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 53A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"