Одиночные MOSFET транзисторы

43
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (43)
IRF640PBF IRF640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 806 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,43
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 185 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 573 шт
Цена от:
от 94,43
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
540 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 218 шт
Цена от:
от 101,54
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.8A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
329 шт

Внешние склады:
160 шт
Цена от:
от 135,48
IRFP240PBF IRFP240PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
601 шт

Внешние склады:
416 шт
Цена от:
от 108,28
IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
141 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 234,98
IRL640PBF IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
511 шт

Внешние склады:
260 шт
Цена от:
от 86,12
Акция
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 271 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 126,76
-6% Акция
IRLI520NPBF IRLI520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
288 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,76
NTD2955T4G NTD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
330 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 44,10
-6% Акция
NTR1P02T1G NTR1P02T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
165пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 259 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,11
IRF640SPBF IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 033 шт
Аналоги:
1 725 шт
Цена от:
от 94,33
IRFP31N50LPBF IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC (High Voltage)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 257,62
-6% Акция
IRL520NPBF IRL520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт, 0.18 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,52
IRL520NSTRLPBF IRL520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 108,99
CSD13381F4 CSD13381F4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD13381F4T CSD13381F4T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 2.1A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG312P FDG312P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN352AP FDN352AP Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.3А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
1.9нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"