Одиночные MOSFET транзисторы

1863
Тип монтажа: Through Hole
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1863)
IRFB7437PBF IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
698 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,69
Акция
IRFB7440PBF IRFB7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
390 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 45,40
IRFB7446PBF IRFB7446PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120А 99Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
3183пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
156 шт

Внешние склады:
90 шт
Цена от:
от 56,61
Акция
IRFB7530PBF IRFB7530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
411нКл
Входная емкость:
13703пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
53 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 135,24
-6% Акция
IRFB7534PBF IRFB7534PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195А 294Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
279нКл
Входная емкость:
10034пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
215 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 58,17
IRFB7537PBF IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
173A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
505 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,60
-6% Акция
IRFB7540PBF IRFB7540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
110A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
4555пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
89 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 36,51
IRFB7545PBF IRFB7545PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 95A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4010пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 930 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,30
IRFB7730PBF IRFB7730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
407нКл
Входная емкость:
13660пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 133 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 105,70
Акция
IRFB7734PBF IRFB7734PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183А 290Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
183A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
290Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 79,41
-6% Акция
IRFB7787PBF IRFB7787PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 83A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
109нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
55 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,33
IRFBC20PBF IRFBC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
4.4 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
639 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 52,06
IRFBC30APBF IRFBC30APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
57 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 44,58
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
502 шт

Внешние склады:
1 800 шт
Цена от:
от 80,01
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
639 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 103,40
-6% Акция
IRFBE20PBF IRFBE20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
6.5 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
530пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
388 шт

Внешние склады:
9 шт
Цена от:
от 58,68
Акция
IRFBE30PBF IRFBE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
419 шт

Внешние склады:
1 445 шт
Цена от:
от 78,87
IRFBF20PBF IRFBF20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
402 шт

Внешние склады:
21 шт
Цена от:
от 41,54
Акция
IRFBF30PBF IRFBF30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.6А 125Вт, 3.7 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
3.7 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
257 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 125,25
IRFBG20PBF IRFBG20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 1.4А 54Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
11 Ом
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
304 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,15
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62102 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"