Одиночные MOSFET транзисторы

₇₀₉

Напряжение сток-исток макс.: 60В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (709)

DMP6180SK3Q-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

17.1нКл

Входная емкость:

984.7пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMTH6016LPDQ-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.2A 8-Pin PowerDI EP лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.2А

Тип транзистора:

N-канальный

Сообщить о поступлении

FDB024N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

395Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

226нКл

Входная емкость:

14885пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB035AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

124нКл

Входная емкость:

6400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

245Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB070AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

175Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 62A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB5800 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A D2PAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Входная емкость:

650пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

763пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD10AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

10.5 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1840пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

2810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD24AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD26AN06A0-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) TO-252AA лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.5A(Ta),50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм @ 10.7А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

65нКл @ 10В

Входная емкость:

3215пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.4A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 52A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

73нКл

Входная емкость:

2739пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

1835пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"