Одиночные MOSFET транзисторы

109
Напряжение сток-исток макс.: 250В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (109)
IRFP4332PBF IRFP4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 360Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
360Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
5860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
81 шт

Внешние склады:
20 950 шт
Цена от:
от 135,06
IRFP4768PBF IRFP4768PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 93А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
93A
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 581 шт

Внешние склады:
3 699 шт
Цена от:
от 116,40
-8% Акция
IRFR224TRPBF IRFR224TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3.8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
358 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,06
-7%
IRFR9214TRPBF IRFR9214TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7А 50Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
249 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 74,52
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
45A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
48 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 097 шт

Внешние склады:
2 880 шт
Цена от:
от 168,96
STD17NF25 STD17NF25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 17A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 436 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 80,40
Акция
2SJ516 2SJ516 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6.5А 35Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6.5A
Мощность макс.:
35 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,76
Акция
2SJ585 2SJ585 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6.5А 30Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6.5A
Мощность макс.:
30 Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
11 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,76
BSP126,115 BSP126,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 375мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
375мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 28,62
BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ16DN25NS3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 10.9A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
0.9A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 148,80
BSZ42DN25NS3G BSZ42DN25NS3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 5A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 73,20
FDA69N25 FDA69N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 69A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PN
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
69A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
480Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4640пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
580 шт
Цена от:
от 394,08
FDB2710 FDB2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 1 033,68
FDB44N25TM FDB44N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
307Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 133,44
FDP33N25 FDP33N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 33A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
94 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
2135пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 109,38
FDP51N25 FDP51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 51A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
51A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
320Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3410пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 346 шт
Цена от:
от 106,56
FDPF44N25T FDPF44N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 233,40
FDPF51N25 FDPF51N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 28А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
28А
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
159 шт
Цена от:
от 220,02
FDS2734 FDS2734 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
2610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 153,36
FQA40N25 FQA40N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 120 шт
Цена от:
от 184,80
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"