Одиночные MOSFET транзисторы

₃₈

Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (38)

Акция

IRF9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

165нКл

Входная емкость:

5250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

26 677 шт

Цена от:

от 9,99₽

Акция

IRF9317PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6.6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

2820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 606 шт

Цена от:

от 44,46₽

IRF9321PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.2 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

98нКл

Входная емкость:

2590пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

9 582 шт

Цена от:

от 22,86₽

Акция

IRF9328PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

11.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 207 шт

Цена от:

от 86,25₽

Акция

IRF9333PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SOIC8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

19.4 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

389 шт

Цена от:

от 7,28₽

Акция

IRF9388PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

52нКл

Входная емкость:

1680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

MMBF0201NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

225мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Входная емкость:

45пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MMBF2201NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SC-70-3 (SOT323)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

150мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Входная емкость:

45пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4160DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25.4A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

25.4A

Сопротивление открытого канала:

4.9 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2071пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4166DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30.5A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

6.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4186DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 35.8A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35.8A

Сопротивление открытого канала:

2.6 мОм

Мощность макс.:

6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

90нКл

Входная емкость:

3630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR172ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

8.5 мОм

Мощность макс.:

29.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

1515пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR418DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

75нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR460DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2071пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR466DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 40A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

90A

Сопротивление открытого канала:

5.7 мОм

Мощность макс.:

83Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

3800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN2110GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

500мА

Сопротивление открытого канала:

4 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Входная емкость:

75пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN4210A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 450мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO92-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

450мА

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Входная емкость:

100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"