Одиночные MOSFET транзисторы

₃₅

Сопротивление открытого канала: 380 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Surface Mount (3357)
Through Hole (1863)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (35)

SIHB12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHB12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

156Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1224пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

SIHF12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1224пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SPP11N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-3

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

SPP12N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

560В

Ток стока макс.:

11.6A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1200пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STD13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STD13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

109Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

24.5нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Связаться с инженером по применению

STF13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

24.5нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STF15NM65N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220FP

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

33.3нКл

Входная емкость:

983пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STP13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STP13NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

109Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

24.5нКл

Входная емкость:

845пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

STU13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

IPAK (TO-251)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

580пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Связаться с инженером по применению

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"