Одиночные MOSFET транзисторы

₅₉

Мощность макс.: 200Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (59)

Акция

IRL1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160А 200Вт, 0.004 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

4 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

6590пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

132 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 166,62₽

Акция

IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

104A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

815 шт

Внешние склады:

180 шт

Цена от:

от 157,34₽

-6% Акция

IRL2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

55A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 136 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 119,74₽

Акция

IRL3803PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 150Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

5000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

67 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 121,01₽

IXTP3N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Производитель:

Littelfuse

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

1200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

4.5 Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

293 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 326,06₽

-6% Акция

SK240N04-TF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162А 200Вт, 0.004 Ом

Производитель:

Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd.

Корпус:

TO-220F

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

162А

Сопротивление открытого канала:

0.004Ом

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

9 864 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

7 501 шт

Цена от:

от 27,35₽

Акция

STW11NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9.2A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247-3

Напряжение сток-исток макс.:

900В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

980 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

115нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

193 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 126,18₽

IRF1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 169,23₽

IRF2805STRLPBF Транзистор HEXFET N-канал 55В 135А [D2PAK]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

135A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм @ 104А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 250 µA

Заряд затвора:

230нКл @ 10В

Входная емкость:

5110пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

100 шт

Цена от:

от 244,40₽

IRF4905PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 7.3А

Производитель:

JSMicro Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

74А

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 695 шт

Аналоги:

7 178 шт

Цена от:

от 32,00₽

IRL1404ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5080пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 328,07₽

AUIRF1404ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

4340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

56 шт

Цена от:

от 257,60₽

AUIRF3808S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 106A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

106A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

220нКл

Входная емкость:

5310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFI4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

74A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

3400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRL1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5080пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRL1404ZS Транзистор Auto Q101 Nкан 40В 180А [D2-PAK]

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

160A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм @ 75А, 10В

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В @ 250 µA

Заряд затвора:

110нКл @ 5В

Входная емкость:

5080пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75339P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

56A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"