Одиночные MOSFET транзисторы

1301
Пороговое напряжение включения макс.:
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1301)
Акция
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 201,71
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.7A
Сопротивление открытого канала:
300 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 141,60
IRFP3710PBF IRFP3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 51А 180Вт, 0.028 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
24 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 171,06
STW24NM60N STW24NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
23 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 258,13
Акция
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1036пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,82
Акция
FQP11N40C FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
20 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 169,94
Акция
IRF540PBF IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
18 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 69,57
Акция
FCP36N60N FCP36N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
312Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
112нКл
Входная емкость:
4785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
17 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 379,23
Акция
IRF520NSTRLPBF IRF520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
16 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 86,50
Акция
IRFS11N50APBF IRFS11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 55,32
Акция
STN1NF10 STN1NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
105пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
10 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,10
IRFR9214TRPBF IRFR9214TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7А 50Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 113,99
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1018пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 176,12
Акция
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 99,01
Акция
AUIRFR5505 AUIRFR5505 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,04
FDP050AN06A0 FDP050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80А 245Вт, 4,3 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
5 мОм
Мощность макс.:
245Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 78,98
Акция
IRFP450LCPBF IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
2200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 206,11
Акция
FQPF16N15 FQPF16N15 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 12А 0,16 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
53Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,22
Акция
IRF3805PBF IRF3805PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
290нКл
Входная емкость:
7960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 62,46
FDD86102 FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 80,53
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"