Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFL024NPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 2.8A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18.3нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL024ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 5.1A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 5.1A
Сопротивление открытого канала: 57.5 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL110PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL110TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL210PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.96 А, 2.0 Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
IRFL210TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223 (High Voltage)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 960мА
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL214PBF
Транзистор полевой N-канальный 250В 790мА
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 790мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL214TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 790мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL214TRPBF-BE3
Транзистор полевой N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
IRFL4105PBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 3.7А 2.1Вт, 0.045 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL4310PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 330пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL4315PBF
Транзистор полевой N-канальный 150В 2.6А 2.8Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 185 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 420пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL9014PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
IRFL9014TRPBF
Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8А 2Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL9110PBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL9110TRPBF
Транзистор полевой P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFM120ATF
Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFML8244TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRFP044NPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 53A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 53A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 1500пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP048PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 70A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.