Одиночные MOSFET транзисторы

709
Напряжение сток-исток макс.: 60В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (709)
BSP613PH6327 BSP613PH6327 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.9A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
905 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,73
Акция
BSS138 BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Производитель:
Guangdong Shikues Micro Industrial Co., Ltd.
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
167 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
849 348 шт
Цена от:
от 1,30
BSS138BK,215 BSS138BK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
56пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 128 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
167 шт
Цена от:
от 5,01
BSS138BKS,115 BSS138BKS,115 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.32Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TSSOP6
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.32A
Мощность макс.:
0.32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 422 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,44
Акция
BSS138BKW,115 BSS138BKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
56пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 004 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,84
Акция
BSS138NH6327 BSS138NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.23А 0.36Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.23A
Мощность макс.:
0.36Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
1 903 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
839 484 шт
Цена от:
от 4,68
BSS138P,215 BSS138P,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 938 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
829 449 шт
Цена от:
от 7,38
BSS138PW,115 BSS138PW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 009 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,05
-6% Акция
BSS138WH6327 BSS138WH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,28A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.28A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
2 237 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
314 854 шт
Цена от:
от 3,54
BSS159NH6327 BSS159NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.23A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.23A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
69 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,55
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.33A
Мощность макс.:
0.36Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 386 шт

Внешние склады:
5 250 шт
Цена от:
от 5,68
-6% Акция
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.17А 0.36Вт, 8.0 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.17A
Мощность макс.:
0.36Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
50 955 шт

Внешние склады:
37 000 шт
Аналоги:
234 844 шт
Цена от:
от 2,49
-6% Акция
BSS84PWH6327 BSS84PWH6327 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.15A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
1 003 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,19
FDD13AN06A0 FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
233 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 112,97
Акция
FQD17P06TM FQD17P06TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 135 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
135 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
98 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,83
-6% Акция
FQP13N06L FQP13N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 13А 0.135 Ом, 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
578 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15,34
Новинка
FQP17P06 FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
194 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 152,36
FQP27P06 FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 113,80
-6% Акция
FQP30N06 FQP30N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
945пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
177 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,28
-6% Акция
FQP30N06L FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
45 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 100,77
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"