Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (236)
Акция TK8A50D Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8А 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
35 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 72,87
2SK2372 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 25А 160Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 25A Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK2837 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 150Вт рекомендуемая замена: TK20J50D Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
631 шт
Цена от:
от 223,66
2SK3235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15А 150Вт Производитель: Hitachi Ltd. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3522 Транзистор полевой N-канальный 500В 21А 220Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21A Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3568 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 40Вт (рекомендуемая замена: TK12A50D) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3680 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 52А 600Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 52A Мощность макс.: 600Вт Тип транзистора: N-канал
2SK3934 Транзистор полевой N-канальный 500В 15А 50Вт (рекомендуемая замена: TK15A50D) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал
2SK4097 Транзистор полевой N-канальный 500В 8А 35Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал
AOB14N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A D2PAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A(Tc) Сопротивление открытого канала: 380 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 51нКл @ 10В Входная емкость: 2297пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FDA16N50_F109 Транзистор полевой N-канальный 500В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1945пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA18N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 19A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 265 мОм Мощность макс.: 239Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2860пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA20N50F Транзистор полевой N-канальный 500В 22А 0.23 Ом, 280Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 388Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 3390пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 4150пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA24N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 200 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 85нКл @ 10В Входная емкость: 4310пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDA50N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 48 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 6460пФ Тип монтажа: Through Hole
FDB15N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD3N50NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD5N50NZ Транзистор полевой N-канальный 500В 4А 62Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4A Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал
Акция FDD5N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4А 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4A Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"