Одиночные MOSFET транзисторы

245
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (245)
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
424 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 96,88
IRFB5620PBF IRFB5620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
546 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 120,37
-6% Акция
IRFD210PBF IRFD210PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 600мА, 1.0Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
289 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,33
IRFD220PBF IRFD220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
HVMDIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
800мА
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
260пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
538 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,33
-6% Акция
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
128 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,25
Акция
IRFD9220PBF IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
560мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
421 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 67,59
-6% Акция
IRFH5020TRPBF IRFH5020TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.1A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.1A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
665 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,42
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
426 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 235,10
IRFI640GPBF IRFI640GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.8A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
329 шт

Внешние склады:
160 шт
Цена от:
от 135,48
Акция
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
151 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 108,34
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 960мА, 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-223 (High Voltage)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
960мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 500 шт

Внешние склады:
2 762 шт
Цена от:
от 29,31
IRFP240PBF IRFP240PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
650 шт

Внешние склады:
416 шт
Цена от:
от 108,28
-6% Акция
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 082 шт

Внешние склады:
3 400 шт
Цена от:
от 42,80
Акция
IRFP250PBF IRFP250PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
136 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 99,81
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
234нКл
Входная емкость:
4057пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
171 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 174,54
Акция
IRFP260NPBF IRFP260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
234нКл
Входная емкость:
4057пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
825 шт

Внешние склады:
1 102 шт
Цена от:
от 95,33
IRFP4127PBF IRFP4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247АСавтомобильного применения туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
75А
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
229 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 289,92
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
65A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 351 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 151,61
IRFP4668PBF IRFP4668PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
9.7 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
241нКл
Входная емкость:
10720пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 452 шт

Внешние склады:
1 115 шт
Цена от:
от 158,39
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 94А 580Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
94A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
580Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
6040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
419 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 137,05
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"