Одиночные MOSFET транзисторы

98
Ток стока макс.: 10A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
2SK3550 2SK3550 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 10А 130Вт
Производитель:
Fuji Electric
Корпус:
TO218F
Напряжение сток-исток макс.:
900В
Ток стока макс.:
10A
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
AO4832 AO4832 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin SOIC
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
AP2761 I-A AP2761 I-A Транзистор полевой N-канальный 650В 10А 37Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
10A
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
AUIRLR014N AUIRLR014N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.9нКл
Входная емкость:
265пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSDSON
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
730мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25.1нКл
Входная емкость:
1415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
730мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25.1нКл
Входная емкость:
1415пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
56.9нКл
Входная емкость:
2444пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FCD380N60E FCD380N60E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 106Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA905P FDMA905P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-MLP (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
3405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDP10N60NZ FDP10N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
185Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1475пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDPF12N50UT FDPF12N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 42Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1395пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDS4410A FDS4410A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
231 шт
Цена от:
от 31,51
FDS5670 FDS5670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6575 FDS6575 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
4951пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA10N80C_F109 FQA10N80C_F109 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQD13N06TM FQD13N06TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7.5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD13N10LTM FQD13N10LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD13N10TM FQD13N10TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQPF10N50CF FQPF10N50CF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
610 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2096пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"