Одиночные MOSFET транзисторы

₆₂

Заряд затвора: 12нКл

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

IRFU9014PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

5.1A

Сопротивление открытого канала:

500 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL520PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.2A,

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

9.2A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLR120PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.7A

Сопротивление открытого канала:

270 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS4141NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB65UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

72 мОм

Мощность макс.:

317мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

634пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB75UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.9A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

317мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

608пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN014-40YS,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

46A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

702пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2325DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 530мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

530мА

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

724 шт

Цена от:

от 33,26₽

SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

216 мОм

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4128DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.9A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

21 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5468DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A

Производитель:

Vishay

Корпус:

ChipFET8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

5.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

435пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.2 Ом

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

175пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHU3N50D-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.2 Ом

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

175пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SQ2389ES-T1_GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

4.1A

Сопротивление открытого канала:

94 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD12NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD26P3LLH6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

1450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD4NK50Z-1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.7 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

2.7 Ом

Мощность макс.:

45Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"