Одиночные MOSFET транзисторы

245
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (245)
Акция
IRFP260MPBF IRFP260MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 50А 300Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
234нКл
Входная емкость:
4057пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
171 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 158,34
FDPF39N20 FDPF39N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 39А 0066 Ом, 37Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
39A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
2130пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
160 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 127,13
Акция
IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
151 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 103,60
IRFP260PBF IRFP260PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 46А 280Вт, 0.055 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
105 шт
Цена от:
от 493,04
Акция
IRFP250PBF IRFP250PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
136 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 97,26
Акция
IRFD9210PBF IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.9нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
128 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 62,26
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 188,89
IRFI4227PBF IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
46Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
124 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 326,48
FDP52N20 FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
82 шт

Внешние склады:
730 шт
Цена от:
от 149,79
WMK340N20HG2 WMK340N20HG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 200В, ток стока 50А
Производитель:
Wayon
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
50А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
75 шт

Внешние склады:
2 800 шт
Цена от:
от 69,96
Акция
STP19NF20 STP19NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
68 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 85,82
Акция
FQP19N20C FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
63 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 114,02
IRFB4620PBF IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
72.5 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
62 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 107,94
FQB12P20TM FQB12P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 423,08
IRFB31N20DPBF IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
2370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
52 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 208,35
Акция
IRF630 IRF630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 74Вт, 0.4 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 51,70
IRFB23N20DPBF IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
49 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 324,46
IRF9620PBF IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
45 шт

Внешние склады:
230 шт
Цена от:
от 75,31
AP18N20GH-HF AP18N20GH-HF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 89Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
42 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,97
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
40 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 218 шт
Цена от:
от 97,03
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"