Одиночные MOSFET транзисторы

780
Тип транзистора: P-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (780)
FQD3P50TM FQD3P50TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.1A
Сопротивление открытого канала:
4.9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
708 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 72,32
Новинка
FQD7P20TM FQD7P20TM Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
690 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
990 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,87
Новинка
FQP17P06 FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
194 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 152,36
FQP27P06 FQP27P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 27А 120Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
131 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 113,80
IRF4905PBF IRF4905PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 839 шт

Внешние склады:
2 339 шт
Аналоги:
1 695 шт
Цена от:
от 38,31
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
188 шт

Внешние склады:
843 шт
Цена от:
от 68,47
IRF5210PBF IRF5210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 40А 200Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
2700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 144 шт

Внешние склады:
3 645 шт
Цена от:
от 74,07
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
2780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 333 шт

Внешние склады:
1 775 шт
Цена от:
от 59,59
IRF5305PBF IRF5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 267 шт

Внешние склады:
1 640 шт
Цена от:
от 44,30
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 505 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 70,66
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 3.4А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
112 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
15 290 шт

Внешние склады:
430 шт
Цена от:
от 13,94
IRF6215PBF IRF6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
223 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 268,53
-6% Акция
IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
240 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
1280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 709 шт

Внешние склады:
4 085 шт
Цена от:
от 31,01
IRF6218PBF IRF6218PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 27А 250Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
27A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
280 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 339,21
IRF7204TRPBF IRF7204TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 185 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 60,54
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
401 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 31,73
Акция
IRF7207TRPBF IRF7207TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
892 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,32
IRF7210TRPBF IRF7210TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
212нКл
Входная емкость:
17179пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
517 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 62,66
IRF7240TRPBF IRF7240TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
9250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 918 шт

Внешние склады:
1 620 шт
Аналоги:
21 558 шт
Цена от:
от 47,59
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2А 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
933 шт

Внешние склады:
1 890 шт
Цена от:
от 45,55
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"