Одиночные MOSFET транзисторы

674
Напряжение сток-исток макс.: 100В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (674)
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
716 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 108,47
IRF530PBF IRF530PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
680 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 40,14
IRF9540PBF IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
671 шт

Внешние склады:
85 шт
Цена от:
от 60,29
WMM043N10HGS WMM043N10HGS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 145А
Производитель:
Wayon
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
145А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
650 шт

Внешние склады:
485 шт
Цена от:
от 41,48
Акция
IRLR110PBF IRLR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.1нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
635 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 46,25
Акция
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
632 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 104,62
Акция
STP30NF10 STP30NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
115Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
605 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 50,14
IRFP140NPBF IRFP140NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А, 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
601 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 98,58
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
571 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 21,08
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
207A
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
564 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 90,81
Акция
STN2NF10 STN2NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
260 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
557 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 23,74
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
543 шт

Внешние склады:
910 шт
Цена от:
от 76,95
Акция
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
536 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 143,87
IRFI540NPBF IRFI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 54Вт, 0.052 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
514 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 106,21
FDMS86101 FDMS86101 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12.4A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
500 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 35,43
Акция
IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-263-7
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
190А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
495 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 340,11
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A 80Вт
Производитель:
Wayon
Корпус:
PDFN5*6
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
74А
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
490 шт

Внешние склады:
12 690 шт
Цена от:
от 32,15
YJB30GP10A YJB30GP10A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 30A TO-263
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
30А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
490 шт

Внешние склады:
319 шт
Цена от:
от 33,17
WMM060N10HGS WMM060N10HGS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 100В, ток стока 115А
Производитель:
Wayon
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
115А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
460 шт

Внешние склады:
426 шт
Цена от:
от 37,51
Акция
BSS119NH6327 BSS119NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.19A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
0.19A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
456 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,24
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69252 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"