Одиночные MOSFET транзисторы

245
Напряжение сток-исток макс.: 200В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (245)
BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 35A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
35А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 473,39
BUZ30AH3045AATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
21A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 78,97
FDP52N20 FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
29 шт

Внешние склады:
830 шт
Цена от:
от 193,92
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 230,02
FQP12P20 FQP12P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
13 шт

Внешние склады:
108 шт
Цена от:
от 173,00
-6% Акция
FQP19N20C FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
21 шт

Внешние склады:
20 шт
Цена от:
от 110,04
IRF640NSTRRPBF IRF640NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
150 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
67нКл @ 10В
Входная емкость:
1160пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
89 шт
Аналоги:
19 197 шт
Цена от:
от 73,37
IRF640SPBF IRF640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 3.1Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 033 шт
Аналоги:
1 725 шт
Цена от:
от 96,06
Акция
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт, 0.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
289 шт
Аналоги:
964 шт
Цена от:
от 120,46
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11А 125Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
964 шт
Аналоги:
289 шт
Цена от:
от 98,17
IRFP250MPBF IRFP250MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 93,05
IRFP260PBF IRFP260PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 46А 280Вт, 0.055 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
46A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
230нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
105 шт
Цена от:
от 679,39
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 88,48
IRFR9220PBF IRFR9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
675 шт
Аналоги:
4 216 шт
Цена от:
от 115,51
PHD9NQ20T,118 PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 8.7A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
959пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
146 шт
Цена от:
от 99,43
SI4490DY-T1-GE3 SI4490DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.85A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 87,60
2SK2161 2SK2161 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9А 25Вт
Производитель:
Sanyo Semiconductors
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Мощность макс.:
25 Вт
Тип транзистора:
N-канал
2SK3596 2SK3596 Транзистор полевой N-канальный 200В 30А 135Вт
Производитель:
Fujitsu Limited
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Мощность макс.:
35 Вт
Тип транзистора:
N-канал
AUIRFR4620 AUIRFR4620 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR4620TRL AUIRFR4620TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
78 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1710пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"