Одиночные MOSFET транзисторы

98
Ток стока макс.: 10A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (98)
Акция
IRLR120NPBF IRLR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10А 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
102 977 шт
Цена от:
от 5,90
NDDP010N25AZT4H Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±30В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDF10N60ZH NDF10N60ZH Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600V
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 mOhm
Мощность макс.:
39W
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5V
Заряд затвора:
68nC
Входная емкость:
1645pF
Тип монтажа:
Through Hole
NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4421DY-T1-E3 SI4421DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
8.75 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
125нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
STB11N52K3 STB11N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
525В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
510 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 125Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
520 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
68нКл
Входная емкость:
1390пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
STD10PF06T4 STD10PF06T4 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10А 40Вт, 0.032 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD11NM60ND STD11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF10N65K3 STF10N65K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STF11NM60ND STF11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL13NM60N STL13NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 8x8
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP10P6F6 STP10P6F6 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP11NM60ND STP11NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10А 90Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP13N95K3 STP13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
850 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STS8DN3LLH5 STS8DN3LLH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Тип транзистора:
N-канал
STU10NM60N STU10NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW12NK95Z STW12NK95Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
950В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
113нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"