Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (106)

IRLHS6242TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 1.98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR120NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 10А 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

80 256 шт

Цена от:

от 11,78₽

IRLR120NTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

80 256 шт

Цена от:

от 11,78₽

Акция

IRLZ14PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 10А 43Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLZ14SPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 10A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 8.4нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDDP010N25AZT4H Полевой транзистор N-канальный 250В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±30В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF6P02T3G Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 8.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD5865NLT4G Полевой транзистор N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4421DY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 8.75 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 125нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10NK60ZT4 Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB11N52K3 Транзистор полевой N-канальный 525В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 525В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 510 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB11NK50ZT4 Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 125Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD10P6F6 Транзистор полевой P-канальный 60В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD11NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF10N65K3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF11NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STL13NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL15N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP10P6F6 Транзистор полевой P-канальный 60В 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STP11NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"