Одиночные MOSFET транзисторы

₁₃₀₁

Пороговое напряжение включения макс.: 4В

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1301)

SI7818DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

135 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

30нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7820DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

240 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7898DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7898DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

156Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1224пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

180Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB22N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 22A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

227Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

2415пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB24N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

145 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

2740пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB33N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 33A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

33A

Сопротивление открытого канала:

99 мОм

Мощность макс.:

278Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

3508пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD6N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

600 мОм

Мощность макс.:

78Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

48нКл

Входная емкость:

820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF12N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

58нКл

Входная емкость:

937пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF12N65E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

650В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

33Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

70нКл

Входная емкость:

1224пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF15N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

280 мОм

Мощность макс.:

34Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF22N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

35Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

1920пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHF30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220 Full Pack

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHFPS37N50A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 36А 446Вт, 0.13 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

Super-247

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

446Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

180нКл

Входная емкость:

5579пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

50 шт

Цена от:

от 704,00₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.61748 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"