Одиночные MOSFET транзисторы

387
Мощность макс.: 2.5Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (387)
FQD12N20LTM FQD12N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 216,37
IRF7456TRPBF IRF7456TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 81,70
IRF7854TRPBF IRF7854TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
1620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 346 шт
Цена от:
от 61,29
IRFR210TRPBF IRFR210TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 88,48
IRFR310PBF IRFR310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7А 25Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 080 шт
Аналоги:
2 320 шт
Цена от:
от 93,05
IRFR420PBF IRFR420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 700 шт
Аналоги:
2 027 шт
Цена от:
от 61,43
IRFR9024PBF IRFR9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 757 шт
Аналоги:
1 047 шт
Цена от:
от 39,83
IRFR9220PBF IRFR9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
675 шт
Аналоги:
4 031 шт
Цена от:
от 101,50
SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 2.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
2.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
270 мОм @ 1.2А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
17нКл @ 10В
Входная емкость:
500пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 942 шт
Цена от:
от 83,60
2SK3746-1E 2SK3746-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P-3L
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK4125-1E 2SK4125-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P-3L
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
610 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AOB4184 AOB4184 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A TO263
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
12A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
1800пФ @ 20В
Тип монтажа:
Surface Mount
AOD413 AOD413 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 12А 25Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14.1нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 054 шт
Цена от:
от 12,99
AON7934 AON7934 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A/18A DFN-A EP
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN-EP (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A,15A
Сопротивление открытого канала:
10.2 мОм @ 13А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SC
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] M4
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
108нКл
Входная емкость:
4267пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 112A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] M4
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
179A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 67А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 150 µA
Заряд затвора:
78нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5055пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC014N04LS BSC014N04LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
6500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC025N03LSGATMA1 BSC025N03LSGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
6100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.62466 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"