Одиночные MOSFET транзисторы

3875
Тип транзистора: N-канал
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (3875)
-6% Акция
FDPF3860T FDPF3860T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 33Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
38.2 мОм
Мощность макс.:
33.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
191 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,77
FDPF5N50UT FDPF5N50UT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
563 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 37,37
-6% Акция
FDPF7N50U FDPF7N50U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 39Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
294 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,75
FDS2582 FDS2582 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.1A автомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
440 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 50,25
FDS4410 FDS4410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
231 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 32,75
-6% Акция
FDS6294 FDS6294 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11.3 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
282 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,20
-6% Акция
FDS6298 FDS6298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
103 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 8,39
FDS6676AS FDS6676AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14.5А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
765 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 31,55
-6% Акция
FDS6690A FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 457 шт

Внешние склады:
6 309 шт
Цена от:
от 25,82
-6% Акция
FDS6690AS FDS6690AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
910пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
390 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 25,49
FDS8880 FDS8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11.6A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
582 шт

Внешние склады:
5 020 шт
Цена от:
от 27,21
-6% Акция
FDS8884 FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
847 шт

Внешние склады:
5 525 шт
Цена от:
от 20,03
-6% Акция
FDT439N FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 554 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,70
-6% Акция
FDT86102LZ FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
107 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 42,49
FDV301N FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
220мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.06В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
9.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
363 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
20 437 шт
Цена от:
от 4,05
FDV303N FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
680мА
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.3нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 957 шт

Внешние склады:
44 250 шт
Аналоги:
104 435 шт
Цена от:
от 2,77
-6% Акция
FDV305N FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.5нКл
Входная емкость:
109пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
715 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,21
FMH23N50E FMH23N50E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В, 23А, 315Вт
Производитель:
Fujitsu Limited
Корпус:
TO-3P(Q)
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
23A
Мощность макс.:
315Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
172 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 150,60
FMV12N50E FMV12N50E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 60Вт
Производитель:
Fujitsu Limited
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
12A
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
125 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 66,90
Акция
FQA70N10 FQA70N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 70А 214Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
46 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 220,46
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.40992 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"