Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (71)
Акция IPA057N08N3GXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 80В 60A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-220-FP Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 60А Тип транзистора: N-канал
Наличие:
154 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 62,70
IRF7493TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
5 497 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 94,96
WMB040N08HGS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 130А Производитель: Wayon Корпус: PDFN5*6 Напряжение исток-сток макс.: 80В
Наличие:
530 шт

Под заказ:
10 258 шт
Цена от:
от 50,06
BUK964R7-80E,118 Транзистор полевой N-канальный 80В 120A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 324Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 92.1нКл @ 5В Входная емкость: 15340пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 882 шт
Цена от:
от 247,69
IRLR2908TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
666 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 91,24
WMK80N08TS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 80А Производитель: Wayon Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 80В
Наличие:
566 шт

Под заказ:
12 697 шт
Цена от:
от 36,87
WMO80N08TS Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 80В, ток стока 80А Производитель: Wayon Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В
Наличие:
393 шт

Под заказ:
10 661 шт
Цена от:
от 24,77
AOB286L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 13A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 13A(Ta),70A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 3142пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount
AON6282 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 26.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 26.5A(Ta),85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 7.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 51нКл @ 10В Входная емкость: 2848пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount
BSC040N08NS5A Полевой транзистор N-канальный 80В 100A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BSC047N08NS3G Полевой транзистор N-канальный 80В 18A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 18A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BSC057N08NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 80В 16А автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8/ SuperSO8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: N-канал
BSC123N08NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 80В 11A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 11A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BSZ123N08NS3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 80В 40A TSDSON-8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: 8-PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 40A Тип транзистора: N-канал
BSZ340N08NS3G Полевой транзистор N-канальный 80В 6A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 169нКл @ 10В Входная емкость: 12030пФ @ 25В
BUK7Y14-80EX Полевой транзистор N-канальный 80В 65A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 65A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 44.8нКл @ 10В Входная емкость: 3155пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK9611-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 182Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 48.8нКл @ 5В Входная емкость: 7149пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK964R2-80E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 349Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 17130пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y11-80EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 84A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 84A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 194Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 44.2нКл @ 5В Входная емкость: 6506пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"