Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (71)

IRF7493PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 9.3A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 497 шт

Цена от:

от 94,96₽

Акция

IRF7854PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 10А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7854TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 10A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3518PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3518TRPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR2908PBF Транзистор полевой N-канальный 80В 30А 120Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

666 шт

Цена от:

от 34,34₽

IRLR2908TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 80В 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

666 шт

Цена от:

от 42,57₽

NVMFS6H818NWFT1G Полевой транзистор N-канальный 80В 20A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 20A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

PMPB95ENEAX Транзистор полевой N-канальный 80В 2.8A Производитель: NEXPERIA Корпус: DFN6 2020 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 2.8А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 14.9нКл @ 10В Входная емкость: 504пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB360ENEAZ Транзистор полевой N-канальный 80В 1.1A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN045-80YS,115 Транзистор полевой N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN3R5-80PS,127 Транзистор полевой N-канальный 80В 120A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 338Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 139нКл Входная емкость: 9961пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN4R4-80PS,127 Транзистор полевой N-канальный 80В 100A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 306Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 8400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

SI2337DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 270 мОм @ 1.2А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 500пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2337DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 80В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4896DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 6.7 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 41нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852ADP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1825пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 41нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"