Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (89)
SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 422 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 243,94
STP11NM80 Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
573 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 315,79
IRF7424TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4030пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
351 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 87,46
IRF7807ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
478 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 42,62
IRFH5406TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 40A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1256пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
559 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 167,42
IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1543пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 121 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,03
IRFR9024NTRPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
8 119 шт

Под заказ:
6 300 шт
Аналоги:
77 430 шт
Цена от:
от 20,81
IRFU9024NPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 842 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 71,18
MMF60R360PTH Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 31Вт Производитель: Magna Chip Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
96 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 73,36
SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
288 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 358,50
SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 (fully isolated) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
113 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 282,43
SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
148 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 367,70
STB13N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) type A Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
864 шт

Под заказ:
430 шт
Цена от:
от 111,05
STF11NM80 Транзистор полевой N-канальный 800В 11А 0.35 Ом, 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43.6нКл Входная емкость: 1630пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
192 шт

Под заказ:
477 шт
Цена от:
от 155,25
STF13NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 0.28 Ом, 11А 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 256,06
STP13NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
36 шт

Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 137,82
STW12NK90Z Транзистор полевой N-канальный 900В 11А 230Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 880 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 152нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
95 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 336,89
Акция AO4422 Транзистор полевой N-канальный 30В 11А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал
BSC123N08NS3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 80В 11A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 11A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
BSZ088N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"